تخطط شركة سامسونج بالتعاون مع شركة IBM، لتصميم بطاريات للهواتف المحمولة يمكن أن يستمر شحنها لأكثر من أسبوع.
وقدمت الشركتان طريقة جديدة لتكديس الترانزستورات عموديًا عبر شريحة، بدلا من وضعها على سطح أشباه الموصلات”FinFET “، حيث يمكن أن تسمح بشرائح أكثر كثافة مليئة بالترانزستورات.
ويعمل التصميم الجديد بتكديس الترانزستورات عموديًا “VTFET”، ما يسمح للتيار بالتدفق لأعلى ولأسفل كومة الترانزستورات، بدلاً من التخطيط الأفقي من جانب إلى جانب المستخدم حاليًا في معظم الرقاقات.
وتوضح الشركتان أن رقاقات VTFET يمكن أن تقدم تحسينًا بمقدار مرتين في الأداء أو خفضًا بنسبة 85 % في استخدام الطاقة مقارنة بتصاميم FinFET.
